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强软研究具有高空穴迁移率的p型氧化物对于发展CMOS工艺具有十分重要的意义。然而这些二元氧化物的禁带宽度都比较小不太适合作透明电极或者逻辑控制晶体管，南新而且这些p型氧化物中金属价态较低容易被进一步氧化，南新造成材料的不稳定。

这个方法还能推广到其他p型金属氧化物中并且引出了一个更广的概念：增中M-O-X，增中其中M是Sn2+，Ni2+，Cu1+，Pd2+等这些处于相对还原态的金属，是产生低空穴有效质量高空穴迁移率的原因，而X则是第三种元素用来调节禁带宽度和相稳定性。

一个明显的缺点是，小学学位由于在金属氧化物中空穴迁移率通常远远低于电子迁移率，这些金属氧化物只能n型导电。未经允许不得转载，硬件授权事宜请联系[email protected]。

长期从事新型光功能材料的基础和应用探索研究，强软在低维材料、纳米光电子学等方面做出了开创性贡献。南新2014年度中国科学院杰出科技成就奖。

这项工作展示了设计双极膜的策略，增中并阐述了其在盐度梯度发电系统中的优越性。现任物理化学学报主编、小学学位科学通报副主编，Adv.Mater.、ACSNano、Small、NanoRes.、ChemNanoMat、APLMater.、NationalScienceReview等国际期刊编委或顾问编委。